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Cantidad: | |
DH060N07B
Wxdh
A 251b
68V
100A
Modo de mejora de canal N potencia MOSFET 100A 68V
1 descripción
Estos MOSFET de modificación de mejora del canal de N utilizaron un diseño de tecnología de trinchera avanzada, proporcionan la carga de Ddson y Lowgate dexcellen. Que concuerda con el estándar ROHS.
2 características
● Lowonresistencia
● LowGatecharge
● Frascos rápidos
● LowReversetransfercapacitance
● 100%SinglePulSeAvalancheenGyTest
● 100%Δvdstest
3 aplicaciones
● PowerSwitchingapplications
● DC-DCConverters
● fullbridgecontrol
VDSS | RDS (ON) (typ) | IDENTIFICACIÓN |
68V | 5.7mΩ | 100A |
Modo de mejora de canal N potencia MOSFET 100A 68V
1 descripción
Estos MOSFET de modificación de mejora del canal de N utilizaron un diseño de tecnología de trinchera avanzada, proporcionan la carga de Ddson y Lowgate dexcellen. Que concuerda con el estándar ROHS.
2 características
● Lowonresistencia
● LowGatecharge
● Frascos rápidos
● LowReversetransfercapacitance
● 100%SinglePulSeAvalancheenGyTest
● 100%Δvdstest
3 aplicaciones
● PowerSwitchingapplications
● DC-DCConverters
● fullbridgecontrol
VDSS | RDS (ON) (typ) | IDENTIFICACIÓN |
68V | 5.7mΩ | 100A |