未命名(1)(8) (1)
porta
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ju jeni këtu: Shtëpi » Produktet » MOSFET » 12V-300V N MOS
Modeli:
Paketa:
V:
A:
LINJA E PRODUKTIT E ZGJEDHUR:

12V-300V N MOS

i imazhit Modeli Paketa V A Detajet e fletës së të dhënave Kërkim Shtoni në shportë
170A 100V 100V N-kanali i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DSG030N10N3 TO-220C DSG030N10N3 TO-220C 100 V 170 A Donghai_DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
NPN epitaksial silic transistor 2SD882 TO-126 2SD882 TO-126 40 V 3A 英文版D882技术规格书.pdf
140A 150V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DSG070N15NA TO-220C DSG070N15NA TO-220C 150 V 140 A Donghai_ DSG070N15NA_DataSheet_V1.0.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N 100A 40 V Fuqia MOSFET DHS021N04P DFN5X6 DHS021N04P DFN5X6 40 V 100A Fleta e të dhënave Donghai DHS021N04P V3.0.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N 120A 80 V Fuqia MOSFET DSG053N08N3 DSG053N08N3 TO-220C 80 V 120A Donghai_DSG053N08N3&DSE051N08N3_Datasheet_V1.0.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N 25A 100 V Fuqia MOSFET DHS250N10D TO-252B DHS250N10D TO-252B 100 V 25A Pajisje+DHS250N10D+Specifikim+Rev1.0.pdf
90A 80V 80V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DHD80N08 TO-252B DHD80N08 TO-252B 80 V 90 A Specifikimi i pajisjes DHD80N08.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N Fuqia MOSFET 100A 68V DH060N07B TO-251B DH060N07B TO-251B 68 V 100A Specifikimi i pajisjes DH060N07D.pdf
63A 60V 60V MOSFET i fuqisë së modalitetit të përmirësimit të kanalit N DH132N06/DH132N06F/ DH132N06E/DH132N06B/DH132N06D
Modaliteti i përmirësimit me kanal N Fuqia MOSFET 120A 85V DHS045N88 TO-220C DHS045N88 TO-220C 85 V 120A Specifikimi i pajisjes DHS045N88-Rev.1.0.pdf
120A 100V 100V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH10H037R TO-220C DH10H037R TO-220C 100 V 120A Specifikimi i pajisjes DH10H037R.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N 100A me fuqi MOSFET DHS008N04P DFN5x6 DHS008N04P DFN5X6 40 V 100A Donghai_DHS008N04P_Fletë e të dhënave_V1.0.pdf
120A 98V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DHS046N10 TO-220C DHS046N10 TO-220C 98 V 120A Specifikimi i pajisjes DHS046N10.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N 180A 60 V Fuqia MOSFET DHS025N06E TO-263 DHS025N06E TO-263 60 V 180 A Donghai_ DHS025N06&DHS025N06E_DataSheet_V2.0.pdf
112A 68V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH100N06 TO-220C DH100N06 TO-220C 68 V 112A Donghai_DH100N06_Fletë e të dhënave_V3.0.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N Fuqia MOSFET 180A 80V DH8004 TO-220C DH8004 TO-220C 80 V 180 A Specifikimi i pajisjes DH8004 (2).pdf
61A 60V 60V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH16N06 TO-220C DH16N06 TO-220C 60 V 61A Specifikimi i pajisjes DH16N06.pdf
240A 100V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DHS025N10 TO-220C DHS025N10 TO-220C 100 V 240 A Specifikimi i pajisjes DHS025N10.pdf
30A 60V N-kanal N-Mësimi Modaliteti i fuqisë MOSFET DHZ24 TO-220C DHZ24 TO-220C 60 V 30 A Specifikimi i pajisjes DHZ24B31.pdf
19A 80V N-kanali N-Rritjes Modaliteti i fuqisë MOSFET DH300N08D TO-252B DH300N08D TO-252B 80 V 19A Specifikimi i pajisjes DH300N08.pdf

Video e produktit

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Regjistrohu për buletinin tonë
  • bëhuni gati për e ardhshëm në buletinin tonë për të marrë përditësime direkt në kutinë tuaj hyrëse
    regjistrimin
    Paraqisni
E drejta e autorit © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Teknologjia nga leadong.com