未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » MOSFET » 12V-300V N MOS
Model:
Balík:
PROTI:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ ŘADY:

12V-300V N MOS

Obrázek Model Balení V A Technický list Podrobnosti Poptávka Přidat do košíku
65A 30V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH033N03R DFN3X3 DH033N03R DFN3X3 30V 65A Specifikace zařízení DH033N03R.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 80A 60V D80N06 TO-252B 60V 80A Specifikace zařízení 80N06.pdf
110A 100V N-kanálový režim Enhancement Power MOSFET D100N10/D100N10F/D100N10E/D100N10B/D100N10D
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 180A 100V DSG028N10NA TO-220C DSG028N10NA TO-220C 100V 180A Zařízení+DSE026N10NA&DSG028N10NA+Specifikace+Rev.1.0.pdf
81A 30V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHP90N03 DFN5X6-8L DHP90N03 DFN5*6 30V 81A Donghai_DHP90N03_YAF Datasheet_ V1.0(1).pdf
160A 120V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS044N12E TO-263 DHS044N12E TO-263 120V 160A Donghai_DHS044N12&DHS044N12E_Datasheet_V1.0.pdf
100A 60V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH066N06D TO-252B DH066N06D TO-252B 60V 100A Donghai_DH066N06D_Datasheet_V2.0.pdf
100V/15mΩ/50A N-MOSFET TO-252B DHS180N10LD TO-252B 100V 50A Donghai_DHS180N10LD_Datasheet_V1.0-SOQ.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 145A 60V DH045N06 TO-220C DH045N06 TO-220C 60V 145A Specifikace zařízení DH045N06.pdf
70A 82V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH8290 TO-220C DH8290 TO-220C 82V 70A Specifikace zařízení DH8290.pdf
160A 120V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS044N12 TO-220C DHS044N12 TO-220C 120V 160A Specifikace zařízení DHS044N12.pdf
85V/2,9mΩ/215AN-MOSFET DH025N08 TO-220C DH025N08 TO-220C 85V 215A Donghai_DH025N08_Datasheet_V1.0.pdf
45A 100V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS160N100D TO-252B DHS160N100D TO-252B 100V 45A Donghai_DHS160N100D_Datasheet_V2.0.pdf
100A 30V N-kanálový režim vylepšení výkonu MOSFET 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K 30H10K TO-252B 30V 100A Donghai_30H10_Datasheet_V1.0.pdf
25A 100V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET 25N10 TO-220C 25N10 TO-220C 100V 25A Specifikace zařízení 25N10.pdf
174A 85V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS030N88E TO-263 DHS030N88E TO-263 85V 174A Specifikace zařízení DHS030N88.pdf
96A 40V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH033N04P DFN5X6 DH033N04P DFN5X6 40V 96A Donghai_DH033N04P+_Datasheet_V1.0.pdf
8N65 TO-220C 8N65
50A 30V N-kanálový režim zesílení napájení MOSFET DHD50N03 TO-252B DHD50N03 TO-252B 30V 50A Donghai_DHB50N03&DHD50N03_Datasheet_V1.0.pdf
100V/12mΩ/60A N-MOSFET DSD150N10L3 TO-252B 100V 60A Donghai_DSD150N10L3&DSB150N10L3_Datasheet_V1.0.pdf

Video o produktu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky
    Předložit
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com