未命名 (1) (8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » » MOSFET » 12V-300V n mos » 18A 200V N-CANNEL REŽIMEM POWER MOSFET D18N20 TO-252B

načítání

Sdílet na:
Tlačítko sdílení Facebooku
tlačítko sdílení Twitteru
Tlačítko sdílení linky
Tlačítko sdílení WeChat
tlačítko sdílení LinkedIn
Tlačítko sdílení Pinterestu
tlačítko sdílení WhatsApp
Tlačítko sdílení Sharethis

18A 200V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET D18N20 TO-252B

Tento N-kanálový vylepšený VDMOSFETS je získán samostatně vyrovnanou rovinnou technologií, která snižuje ztrátu vedení, zlepšuje výkon přepínání a zvyšuje energii laviny. Který v souladu se standardní ROHS :
dostupností
Množství:
Zeptejte se Přidejte do koše

18A 200V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET


1 Popis

Tento N-kanálový vylepšený VDMOSFETS je získán samostatně vyrovnanou rovinnou technologií, která snižuje ztrátu vedení, zlepšuje výkon přepínání a zvyšuje energii laviny. Který v souladu se standardem ROHS. 


2 funkce 

● Rychlé přepínání 

● nízký odpor 

● Nízký náboj brány 

● nízký reverzní přenos kapacity 

● 100% test na lavinu s jedním pulsem 

● Test 100% ΔVDS 


3 aplikace 

● Vysoce účinná přepínací zdroje napájecí zdroje. 

● Obvod napájení adaptéru a nabíječky. 

● UPS 

● Střídač


VDSS RDS (on) (typ) Id 
200V 0,12Ω 18a



Předchozí: 
Další: 
MOSFET
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zaregistrujte se do našeho zpravodaje
  • Připravte se na budoucnost
    Zaregistrujte se do našeho zpravodaje a získejte aktualizace přímo do vaší doručené pošty
    Předložit
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com