18A 200V N-kanałowy MOSFET mocy w trybie wzmocnienia
1 Opis
Ten ulepszony kanał N vdmosfet jest uzyskiwany dzięki samonastawnej technologii planarnej, która zmniejsza straty przewodzenia, poprawia wydajność przełączania i zwiększa energię lawiny. Co jest zgodne ze standardem RoHS.
2 funkcje
● Szybkie przełączanie
● Niski opór
● Niski ładunek bramki
● Niskie pojemności przesyłu zwrotnego
● 100% test energii lawinowej w pojedynczym impulsie
● 100% test ΔVDS
3 aplikacje
● Wysokowydajne zasilacze impulsowe.
● Obwód wyłącznika zasilania adaptera i ładowarki.
● UPS
● Falownik
| VDSS |
RDS(wł.) (TYP) |
ID |
| 200 V |
0,12 Ω |
18A |