未命名 (1) (8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » Mosfet » 12V-300V N MOS » 18A 200 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET D18N20 TO-252B

załadunek

Udostępnij do:
Przycisk udostępniania na Facebooku
Przycisk udostępniania na Twitterze
Przycisk udostępniania linii
Przycisk udostępniania WeChat
Przycisk udostępniania LinkedIn
Przycisk udostępniania Pinterest
przycisk udostępniania WhatsApp
przycisk udostępniania shaRethis

18A 200 V Tryb wzmocnienia N-Kanałów MOSFET D18N20 TO-252B

Ten wzmocniony kanał N VDMOSFET, jest uzyskiwany przez samozwańczą planarną technologię, która zmniejsza stratę przewodzenia, poprawia wydajność zmiany i poprawia energię lawinową. Co jest zgodne ze standardową
dostępnością ROHS:
Ilość:
Pytać się Dodaj do kosza

18A 200 V MOSFET MOSFET MOSFET


1 Opis

Ten wzmocniony kanał N VDMOSFET, jest uzyskiwany przez samozwańczą planarną technologię, która zmniejsza stratę przewodzenia, poprawia wydajność zmiany i poprawia energię lawinową. Co jest zgodne ze standardem Rohs. 


2 funkcje 

● Szybkie przełączanie 

● Niskie opór 

● Niski ładunek bramki 

● Niskie pojemności transferu odwrotnego 

● 100% testu energii lawinowej pojedynczej pulsu 

● Test 100% ΔVDS 


3 aplikacje 

● Zasilanie trybu przełącznika o wysokiej wydajności. 

● Obwód przełącznika zasilania adaptera i ładowarki. 

● UPS 

● falownik


VDSS RDS (ON) (Typ) ID 
200 V. 0,12Ω 18a



Poprzedni: 
Następny: 
Mosfet
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zarejestruj się w naszym biuletynie
  • Przygotuj się na przyszłą
    rejestrację na nasz biuletyn, aby uzyskać aktualizacje bezpośrednio do skrzynki odbiorczej
    Składać
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com