18A 200 В N-канальный режим улучшения мощности Mosfet D18N20 до 252B

18A 200 В n-канальный режим улучшения мощности MOSFET

1 Описание

Этот n-канальный улучшенный VDMOSFETS получается с помощью самоопределенной плоской технологии, которая снижает потерю проводимости, повышает производительность переключения и повышает энергию лавины. Который согласуется со стандартом ROHS. 

2 функции 

● Быстрое переключение 

● Низкое сопротивление 

● Зарядки с низким затвором 

● Низкие емкости обратного переноса 

● 100% тест на электроэнергию с одним импульсной лавиной 

● Тест 100% ΔVDS 

3 приложения 

● Высокоэффективное переключатель режима питания. 

● Схема питания адаптера и зарядного устройства. 

● UPS 

● Инвертор