18A 200V N-Connan Manian ថាមពលថាមពល Mosfet D18N62020 ដល់ -252B

18A 200V N-Cannel Center Landancement ថាមពលថាមពល Mosfet

ការពិពណ៌នាសង្ខេប 1

ឆានែល N ដែលបានបង្កើន VDMOSFETS ត្រូវបានទទួលដោយបច្ចេកវិទ្យាផែនការដែលបានតម្រឹមដោយខ្លួនឯងដែលកាត់បន្ថយការបាត់បង់ការផ្លាស់ប្តូរការកែលម្អការផ្លាស់ប្តូរការផ្លាស់ប្តូរនិងបង្កើនថាមពល avalanche ។ ដែលមានអនុលោមតាមស្តង់ដាររ៉ូបឺត។ 

លក្ខណៈពិសេស 2 

●កុងតាក់លឿន 

eturectance ភាពធន់ទ្រាំទាប 

●បន្ទុកច្រកទ្វារទាប 

apprinatactance ការផ្ទេរបញ្ច្រាសទាប 

Disction ការធ្វើតេស្តិ៍ថាមពលរបស់ avalanche avalanche 100% 

ការធ្វើតេស្ត 100% δvdsសាកល្បង 

ពាក្យសុំ 3 

●ផ្គត់ផ្គង់ថាមពលប្រសិទ្ធភាពខ្ពស់បំផុត។ 

accifiet សៀគ្វីប្តូរថាមពលនៃអាដាប់ធ័រនិងឆ្នាំងសាក។ 

● UPS 

●អន្លង់