120A 70V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS130N06D TO-252B

Výkonový MOSFET 120A 70V N-channel Enhancement Mode

1 Popis

Tyto výkonové mosfety v režimu N-kanálového vylepšení využívaly pokročilý design technologie výkopu splite gate, který poskytoval vynikající Rdson a nízký náboj hradla. Což odpovídá standardu RoHS. 

2 Vlastnosti

● Nízký odpor

● Nízký poplatek za bránu 

● Rychlé přepínání 

● Nízké zpětné přenosové kapacity 

● 100% jednopulzní lavinový energetický test 

● 100% test ΔVDS 

3 Aplikace 

● Synchronní usměrnění v SMPS 

● Pevné spínání a vysokorychlostní obvod 

● Elektrické nářadí 

● UPS

● Ovládání motoru

VDSS	RDS(zapnuto)(TYP)	ID
70V	4,9 mΩ	120A