120 A 70 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS130N06D TO-252B

120 A 70 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET

1 Beschreibung

Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus verwenden ein fortschrittliches Split-Gate-Trench-Technologie-Design und bieten einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen

● Geringer Widerstand

● Niedrige Gate-Ladung 

● Schnelles Umschalten 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test 

3 Anwendungen 

● Synchrongleichrichtung in SMPS 

● Hartes Schalten und Hochgeschwindigkeitsschaltung 

● Elektrowerkzeuge 

● USV

● Motorsteuerung

VDSS	RDS(ein)(TYP)	AUSWEIS
70V	4,9 mΩ	120A