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120A 70V Modo de mejora del canal MOSFET DHS130N06D TO-252B

Estos MOSFET de potencia de modo de mejora del canal N utilizaron un diseño de tecnología de trinchera SGT avanzada, proporcionó una excelente carga de RDSON y baja puerta. Que concuerda con la
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120A 70V N-Canal Modo de mejora de potencia MOSFET


1 descripción

Estos Mosfets de potencia de potencia de modo de mejora del canal N utilizaron un diseño de tecnología de trinchera de compuerta de espíritu avanzada, proporcionó una excelente carga de Rdson y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS. 


2 características

● Bajo en resistencia

● carga de puerta baja 

● Cambio rápido 

● Capacitancias de transferencia inversa bajas 

● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100% 

● Prueba de 100% ΔVDS 


3 aplicaciones 

● Rectificación sincrónica en SMPS 

● Circuito de conmutación dura y alta velocidad 

● Herramientas eléctricas 

● UPS

● Control de motor


VDSS RDS (ON) (typ) IDENTIFICACIÓN
70V 4.9mΩ 120a


descargar Donghai+DHS130N06B y DHS130N06D+Hoja de datos+V3.0.pdf

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