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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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120A 70V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS130N06D TO-252B

Esses MOSFETs de energia de aprimoramento de canal N usavam o design avançado da tecnologia SGT Trench, forneceram excelente rdson e baixa carga do portão. Que de acordo com a
disponibilidade padrão do ROHS:
quantidade:

120A 70V Modo de aprimoramento do canal N MOSFET


1 Descrição

Esses MOSFETs de energia de aprimoramento de canal N usavam o design avançado da tecnologia de valas de portão de divisão, forneceram excelente rdson e baixa carga do portão. Que de acordo com o padrão ROHS. 


2 recursos

● baixa resistência

● Baixa carga do portão 

● Comutação rápida 

● Capacitâncias de transferência reversa baixa 

● Teste de energia de avalanche de pulso 100% único 

● Teste 100% ΔVDS 


3 aplicações 

● Retificação síncrona no SMPS 

● Comutação dura e circuito de alta velocidade 

● Ferramentas elétricas 

● UPS

● Controle do motor


VDSS Rds (on) (Typ) EU IA
70V 4.9mΩ 120a


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