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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N, 120A, 70V, DHS130N06D TO-252B

Ces mosfets de puissance en mode d'amélioration du canal N utilisaient une conception avancée de la technologie de tranchée SGT, fournissaient un excellent Rdson et une faible charge de grille. Qui est conforme à la norme RoHS
Disponibilité :
Quantité :

MOSFET de puissance en mode d'amélioration canal N 120 A 70 V


1 Descriptif

Ces mosfets de puissance en mode d'amélioration du canal N utilisaient une conception avancée de technologie de tranchée à grille divisée, fournissant un excellent Rdson et une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS. 


2 Caractéristiques

● Faible résistance

● Faible charge de porte 

● Commutation rapide 

● Faibles capacités de transfert inverse 

● Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 % 

● Test 100 % ΔVDS 


3 candidatures 

● Rectification synchrone dans SMPS 

● Commutation dure et circuit haute vitesse 

● Outils électriques 

● UPS

● Contrôle du moteur


VDSS RDS (activé) (TYP) IDENTIFIANT
70V 4,9 mΩ 120A


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