brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » MOSFET » 12V-300V n mos » 110a 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

načítání

Sdílet na:
Tlačítko sdílení Facebooku
tlačítko sdílení Twitteru
Tlačítko sdílení linky
Tlačítko sdílení WeChat
tlačítko sdílení LinkedIn
Tlačítko sdílení Pinterestu
tlačítko sdílení WhatsApp
Tlačítko sdílení Sharethis

110a 100V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET

110a 100V režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET
Dostupnost:
Množství:
  • D100N10/D100N10F/D100N10E/D100N10B/D100N10D

  • Wxdh

110a 100V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET


1 Popis 

Tyto režim vylepšení N-kanálů Power MOSFETS používal technologický design Advanced Splite Gate Trench Technology, poskytoval vynikající náboj RDSON a nízký brány. Který v souladu se standardem ROHS. 


2 funkce

● Rychlé přepínání 

● nízký odpor 

● Nízký náboj brány

● proud s vysokou lavinou

● nízký reverzní přenos kapacity

● 100% test na lavinu s jedním pulsem 

● Test 100% ΔVDS 


3 aplikace

● Synchronní náprava v SMPS

● Přepínání pevného a vysokorychlostního obvodu

● Power Tools

● UPS 

● Řízení motoru

VDSS RDS (on) (typ) Id
100v 5.1 MΩ 110a


Předchozí: 
Další: 
  • Zaregistrujte se do našeho zpravodaje
  • Připravte se na budoucnost
    Zaregistrujte se do našeho zpravodaje a získejte aktualizace přímo do vaší doručené pošty