110A 100V N-kanálový režim Enhancement Power MOSFET

110A 100V N-kanálový režim Enhancement Power MOSFET

1 Popis 

Tyto výkonové mosfety v režimu N-kanálového vylepšení využívaly pokročilý design technologie výkopu splite gate, který poskytoval vynikající Rdson a nízký náboj hradla. Což odpovídá standardu RoHS. 

2 Vlastnosti

● Rychlé přepínání 

● Nízký odpor 

● Nízký poplatek za bránu

● Vysoký lavinový proud

● Nízké zpětné přenosové kapacity

● 100% jednopulzní lavinový energetický test 

● 100% test ΔVDS 

3 Aplikace

● Synchronní usměrnění v SMPS

● Pevné spínání a vysokorychlostní obvod

● Elektrické nářadí

● UPS 

● Ovládání motoru

VDSS	RDS(zapnuto)(TYP)	ID
100V	5,1 mΩ	110A