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110A 100V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET

110A 100V N-Kanalverbesserungsmodus MOSFET-
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110A 100V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET


1 Beschreibung 

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Splite-Gate-Graben-Technologie-Design und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale

● schnelles Umschalten 

● Niedrig des Widerstands 

● Ladung mit niedriger Gate

● hoher Lawinenstrom

● Niedrige Umkehrtransferkapazität

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test 


3 Anwendungen

● Synchrone Korrektur in SMPs

● Hartschalter und Hochgeschwindigkeitskreislauf

● Elektrowerkzeuge

● ups 

● Motorsteuerung

VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS
100V 5.1 Mω 110a


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