Dostępność: | |
---|---|
Ilość: | |
D100N10/D100N10F/D100N10E/D100N10B/D100N10D
Wxdh
110A 100 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET
1 Opis
Te MOSFET MOSFETS Ulepszenia N-kanałów zastosowano zaawansowany projekt technologii wykopów SPLITE BATE, zapewnił doskonały ładunek RDSON i niski ładunek bramki. Co jest zgodne ze standardem Rohs.
2 funkcje
● Szybkie przełączanie
● Niskie opór
● Niski ładunek bramki
● Wysoki prąd lawinowy
● Niskie pojemności transferu odwrotnego
● 100% testu energii lawinowej pojedynczej pulsu
● Test 100% ΔVDS
3 aplikacje
● Synchroniczna rektyfikacja w SMPS
● Przełączanie twardych i obwód dużej prędkości
● Elektrownie
● UPS
● Kontrola silnika
VDSS | RDS (ON) (Typ) | ID |
100 V. | 5.1 MΩ | 110a |
110A 100 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET
1 Opis
Te MOSFET MOSFETS Ulepszenia N-kanałów zastosowano zaawansowany projekt technologii wykopów SPLITE BATE, zapewnił doskonały ładunek RDSON i niski ładunek bramki. Co jest zgodne ze standardem Rohs.
2 funkcje
● Szybkie przełączanie
● Niskie opór
● Niski ładunek bramki
● Wysoki prąd lawinowy
● Niskie pojemności transferu odwrotnego
● 100% testu energii lawinowej pojedynczej pulsu
● Test 100% ΔVDS
3 aplikacje
● Synchroniczna rektyfikacja w SMPS
● Przełączanie twardych i obwód dużej prędkości
● Elektrownie
● UPS
● Kontrola silnika
VDSS | RDS (ON) (Typ) | ID |
100 V. | 5.1 MΩ | 110a |