未命名(1)(8) (1)
puerta
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
Usted está aquí: Hogar » Productos » MOSFET » 12V-300V N MOS
Modelo:
Paquete:
V:
A:
LÍNEAS DE PRODUCTOS SELECCIONADAS:

MOS 12V-300V N

Imagen Modelo Paquete V A Ficha técnica Detalles Consulta Añadir al carrito
Transistor de silicio epitaxial NPN 2SD882 TO-126 2SD882 A-126 40V 3A 英文版D882技术规格书.pdf
MOSFET de potencia DSG070N15NA TO-220C del modo de mejora del canal N de 140A 150V DSG070N15NA TO-220C 150V 140A  DSG070N15NA_DataSheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 100A 40V DHS021N04P DFN5X6 DHS021N04P DFN5X6 40V 100A Donghai DHS021N04P Hoja de datos V3.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 90A 80V DHD80N08 TO-252B DHD80N08 TO-252B 80V 90A Especificación del dispositivo DHD80N08.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 130A 40V DH025N04D TO-252B DH025N04D TO-252B 40V 130A Especificación del dispositivo DH025N04.pdf
MOSFET de potencia DSG053N08N3 del modo de mejora del canal N de 120A 80V DSG053N08N3 TO-220C 80V 120A DSG053N08N3 y DSE051N08N3_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 25A 100V DHS250N10D TO-252B DHS250N10D TO-252B 100V 25A Dispositivo+DHS250N10D+Especificación+Rev1.0.pdf
Modo de mejora de canal N MOSFET de potencia 100A 68V DH060N07B TO-251B DH060N07B TO-251B 68V 100A Especificación del dispositivo DH060N07D.pdf
MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 63A y 60 V DH132N06/DH132N06F/ DH132N06E/DH132N06B/DH132N06D
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 120A 100V DH10H037R TO-220C DH10H037R TO-220C 100V 120A Especificación del dispositivo DH10H037R.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N 120A 85V DHS045N88 TO-220C DHS045N88 TO-220C 85V 120A Especificación del dispositivo DHS045N88-Rev.1.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 100A 40V DHS008N04P DFN5x6 DHS008N04P DFN5X6 40V 100A DHS008N04P_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 120A 98V DHS046N10 TO-220C DHS046N10 TO-220C 98V 120A Especificación del dispositivo DHS046N10.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 180A 60V DHS025N06E TO-263 DHS025N06E A-263 60V 180A  DHS025N06&DHS025N06E_DataSheet_V2.0.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 112A 68V DH100N06 TO-220C DH100N06 TO-220C 68V 112A DH100N06_Datasheet_V3.0.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 61A 60V DH16N06 TO-220C DH16N06 TO-220C 60V 61A Especificación del dispositivo DH16N06.pdf
Modo de mejora de canal N MOSFET de potencia 180A 80V DH8004 TO-220C DH8004 TO-220C 80V 180A Especificación del dispositivo DH8004 (2).pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 240A 100V DHS025N10 TO-220C DHS025N10 TO-220C 100V 240A Especificación del dispositivo DHS025N10.pdf
MOSFET de potencia DHZ24 TO-220C del modo de mejora del canal N de 30A 60V DHZ24 TO-220C 60V 30A Especificación del dispositivo DHZ24B31.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 19A 80V DH300N08D TO-252B DH300N08D TO-252B 80V 19A Especificación del dispositivo DH300N08.pdf

Vídeo del producto

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
  • Suscríbete a nuestro boletín
  • prepárese para el futuro
    suscríbase a nuestro boletín para recibir actualizaciones directamente en su bandeja de entrada
    Entregar
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Tecnología por leadong.com