MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 120A 100V DH10H037R TO-220C

MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 120 A y 100 V

1 Descripción 

Estos MOSFETS de potencia de modo de mejora de canal N utilizaron un diseño avanzado de tecnología Splite Gate, proporcionaron un RDSON excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características 

● Cambio rápido 

● Baja resistencia 

● Cargo de puerta bajo

● Alta corriente de avalancha 

● Bajas capacidades de transferencia inversa 

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100% 

● Prueba 100% ΔVDS 

3 aplicaciones

● Fuente de alimentación conmutada

● Sistema de gestión de energía del inversor.

● Control de herramientas eléctricas 

● Aplicaciones de electrónica automotriz

VDS	RDS(encendido)tipo.	IDENTIFICACIÓN
100V	3,7 mΩ	120A