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120A 100V N-Kanalverbesserungsmodus MOSFET DH10H037R TO-220C

120A 100V N-Kanalverbesserungsmodus MOSFET-
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120A 100V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET


1 Beschreibung 

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Splite-Gate-Technologie-Design und bildeten eine hervorragende RDSON und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale 

● schnelles Umschalten 

● Niedrig des Widerstands 

● Ladung mit niedriger Gate

● hoher Lawinenstrom 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test 


3 Anwendungen

● Stromversorgung wechseln

● Wechselrichter -Leistungsmanagementsystem

● Elektrowerkzeugsteuerung 

● Anwendungen zur Kfz -Elektronik


VDS RDS (on) Typ. AUSWEIS
100V 3,7 mΩ 120a


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