120 A 100 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH10H037R TO-220C

120 A 100 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET

1 Beschreibung 

Diese N-Kanal-Leistungs-MOSFETS im Anreicherungsmodus verwenden ein fortschrittliches Design mit Splite-Gate-Technologie und bieten einen hervorragenden RDSON und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen 

● Schnelles Umschalten 

● Geringer Widerstand 

● Niedrige Gate-Ladung

● Hoher Lawinenstrom 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test 

3 Anwendungen

● Schaltnetzteil

● Wechselrichter-Energieverwaltungssystem

● Steuerung von Elektrowerkzeugen 

● Anwendungen der Automobilelektronik

VDS	RDS(on)typ.	AUSWEIS
100V	3,7 mΩ	120A