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120 A 100 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH10H037R TO-220C

120 A 100 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET
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120 A 100 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET


1 Beschreibung 

Diese N-Kanal-Leistungs-MOSFETS im Anreicherungsmodus verwenden ein fortschrittliches Design mit Splite-Gate-Technologie und bieten einen hervorragenden RDSON und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 


2 Funktionen 

● Schnelles Umschalten 

● Geringer Widerstand 

● Niedrige Gate-Ladung

● Hoher Lawinenstrom 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test 


3 Anwendungen

● Schaltnetzteil

● Wechselrichter-Energieverwaltungssystem

● Steuerung von Elektrowerkzeugen 

● Anwendungen der Automobilelektronik


VDS RDS(on)typ. AUSWEIS
100V 3,7 mΩ 120A


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