MOSFET de potencia DSG030N10N3 TO-220C del modo de mejora del canal N de 170A 100V

MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 170 A y 100 V

1 Descripción 

Estos mosfets de potencia en modo de mejora de canal N utilizaron un diseño avanzado de tecnología de zanja de puerta dividida, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características 

● Cambio rápido

● Baja resistencia

● Cargo de puerta bajo

● Alta corriente de avalancha 

● Bajas capacitancias de transferencia inversa. 

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100% 

● Prueba 100% ΔVDS 

3 aplicaciones 

● Rectificación síncrona en SMPS 

● Conmutación dura y circuito de alta velocidad

● herramientas eléctricas 

● SAI

● Control de motores

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
100V	2,6 mΩ	170A