geçit
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Buradasınız: Ev » Ürünler » Mosfet » 12V-300V N MOS » 170A 100V N Kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET DSG030N10N3 TO-220C

yükleme

Paylaşın:
Facebook Paylaşım Düğmesi
Twitter Paylaşım Düğmesi
Hat Paylaşım Düğmesi
WeChat Paylaşım Düğmesi
LinkedIn Paylaşım Düğmesi
Pinterest Paylaşım Düğmesi
WhatsApp Paylaşım Düğmesi
sharethis paylaşım düğmesi

170A 100V N Kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET DSG030N10N3 TO-220C

Bu n-kanal geliştirme modu güç mosfets, mükemmel RDSON ve düşük kapı şarjı sağladı, gelişmiş splite geçit hendek teknolojisi tasarımı kullandı. ROHS standardı ile uyumludur.
Kullanılabilirlik:
Miktar:

170A 100V N Kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET


1 Açıklama 

Bu n-kanal geliştirme modu güç mosfets, mükemmel RDSON ve düşük kapı şarjı sağladı, gelişmiş splite geçit hendek teknolojisi tasarımı kullandı. ROHS standardı ile uyumludur. 


2 Özellik 

● Hızlı anahtarlama

● Direnç düşük

● Düşük kapı şarjı

● Yüksek çığ akımı 

● Düşük ters transfer kapasitansları 

●% 100 tek nabız çığ enerji testi 

●% 100 ΔVDS testi 


3 Uygulama 

● SMP'lerde senkron düzeltme 

● Sert anahtarlama ve yüksek hızlı devre

● Elektrikli aletler 

● UPS

● Motor kontrolü



VDSS RDS (ON) (tip) İD
100V 2.6 MΩ 170a


Öncesi: 
Sonraki: 
  • Bültenimize kaydolun
  • Geleceğe Hazır Olun
    Bültenimize doğrudan gelen kutunuza güncellemeler almak için kaydolun