port
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Du er her: Hjem » Produkter » Mosfet » 12v-300v N Mos » 170a 100V N-kanal Forbedringstilstand Power MOSFET DSG030N10N3 TO-220C

Indlæsning

Del til:
Facebook -delingsknap
Twitter -delingsknap
Linjedelingsknap
WeChat -delingsknap
LinkedIn -delingsknap
Pinterest -delingsknap
Whatsapp -delingsknap
Sharethis delingsknap

170a 100V N-kanal Forbedringstilstand Power MOSFET DSG030N10N3 TO-220C

Disse N-kanals forbedringsmodus Power MOSFETs brugte avanceret Split-portgraveteknologi design, leverede fremragende RDSON og lav gate-ladning. Der stemmer overens med ROHS -standarden.
Tilgængelighed:
Mængde:

170a 100V N-kanalforbedringstilstand Power Mosfet


1 Beskrivelse 

Disse N-kanals forbedringsmodus Power MOSFETs brugte avanceret Split-portgraveteknologi design, leverede fremragende RDSON og lav gate-ladning. Der stemmer overens med ROHS -standarden. 


2 funktioner 

● Hurtig skift

● Lav modstand

● Opladning med lav port

● Høj lavine strøm 

● Lav omvendt overførselskapacitanser 

● 100% enkelt puls -lavine energitest 

● 100% ΔVDS -test 


3 applikationer 

● Synkron ensrettet i SMP'er 

● Hård skift og højhastighedskredsløb

● elværktøjer 

● UPS

● Motorstyring



VDSS RDS (on) (typ) Id
100v 2,6 MΩ 170a


Tidligere: 
Næste: 
  • Tilmeld dig vores nyhedsbrev
  • Gør dig klar til den fremtidige
    tilmelding til vores nyhedsbrev for at få opdateringer direkte til din indbakke