πύλη
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Είστε εδώ: Σπίτι » Προϊόντα » MOSFET » 12V-300V N MOS » 170A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DSG030N10N3 TO-220C

φόρτωση

Κοινοποίηση σε:
κουμπί κοινής χρήσης facebook
κουμπί κοινής χρήσης twitter
κουμπί κοινής χρήσης γραμμής
κουμπί κοινής χρήσης wechat
κουμπί κοινής χρήσης linkedin
κουμπί κοινής χρήσης pinterest
κουμπί κοινής χρήσης whatsapp
κοινοποιήστε αυτό το κουμπί κοινής χρήσης

170A Λειτουργία βελτίωσης καναλιών N 100 V Power MOSFET DSG030N10N3 TO-220C

Αυτά τα power mosfet λειτουργίας βελτίωσης N καναλιών χρησιμοποιούσαν προηγμένη σχεδίαση τεχνολογίας splite gate trench, παρέχοντας εξαιρετικό Rdson και χαμηλή φόρτιση πύλης. Το οποίο συμφωνεί με το πρότυπο RoHS.
Διαθεσιμότητα:
Ποσότητα:

170A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET


1 Περιγραφή 

Αυτά τα power mosfet λειτουργίας βελτίωσης N καναλιών χρησιμοποιούσαν προηγμένη σχεδίαση τεχνολογίας splite gate trench, παρέχοντας εξαιρετικό Rdson και χαμηλή φόρτιση πύλης. Το οποίο συμφωνεί με το πρότυπο RoHS. 


2 Χαρακτηριστικά 

● Γρήγορη εναλλαγή

● Χαμηλή αντίσταση

● Χαμηλή χρέωση πύλης

● Υψηλό ρεύμα χιονοστιβάδας 

● Χαμηλές χωρητικότητες ανάστροφης μεταφοράς 

● Δοκιμή ενέργειας χιονοστιβάδας 100% ενός παλμού 

● Δοκιμή ΔVDS 100%. 


3 Εφαρμογές 

● Σύγχρονη διόρθωση σε SMPS 

● Κύκλωμα σκληρής μεταγωγής και υψηλής ταχύτητας

● Ηλεκτρικά εργαλεία 

● UPS

● Έλεγχος κινητήρα



VDSS RDS(ενεργό)(TYP) ταυτότητα
100V 2,6 mΩ 170Α


Προηγούμενος: 
Επόμενος: 
  • Εγγραφείτε για το ενημερωτικό μας δελτίο
  • ετοιμαστείτε για το μέλλον
    εγγραφείτε στο ενημερωτικό μας δελτίο για να λαμβάνετε ενημερώσεις κατευθείαν στα εισερχόμενά σας