170A 100V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DSG030N10N3 TO-220C

170A 100V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET

1 Popis 

Tieto výkonové mosfety s režimom N-kanálového vylepšenia využívali pokročilý dizajn technológie delenej brány, ktorý poskytoval vynikajúci Rdson a nízky náboj brány. Čo je v súlade s normou RoHS. 

2 Vlastnosti 

● Rýchle prepínanie

● Nízky odpor

● Nízky poplatok za bránu

● Vysoký lavínový prúd 

● Nízke kapacity spätného prenosu 

● 100% test lavínovej energie s jedným impulzom 

● 100 % test ΔVDS 

3 Aplikácie 

● Synchrónna náprava v SMPS 

● Tvrdé spínanie a vysokorýchlostný obvod

● Elektrické náradie 

● UPS

● Ovládanie motora

VDSS	RDS(zapnuté)(TYP)	ID
100 V	2,6 mΩ	170A