MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 90A 80V DHD80N08 TO-252B

MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 90 A y 80 V

1 Descripción 

Estos mosfets de potencia en modo de mejora de canal N utilizaron un diseño de tecnología de zanja avanzada, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características

● Cambio rápido

● Alta corriente de avalancha

● Baja resistencia 

● Cargo de puerta bajo 

● Bajas capacitancias de transferencia inversa. 

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%

● Prueba 100% ΔVDS 

3 aplicaciones 

● Aplicaciones de conmutación de energía

● Convertidores CC-CC

● Fuente de alimentación del SAI

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
80V	6,5 mΩ	90A