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90A 80V N-canal Modo de mejora de potencia MOSFET DHD80N08 TO-252B

Estos Mosfets de potencia de potencia de modo de mejora del canal N utilizaron un diseño de tecnología de trinchera avanzada, proporcionó una excelente carga de RDSON y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS.
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90A 80V N-Canal Modo de mejora MOSFET


1 descripción 


Estos Mosfets de potencia de potencia de modo de mejora del canal N utilizaron un diseño de tecnología de trinchera avanzada, proporcionó una excelente carga db5aa05=Dispositivo 20N50 Especificación (1) .pdf 


2 características

● Cambio rápido

● Corriente de alta avalancha

● Bajo en resistencia 

● carga de puerta baja 

● Capacitancias de transferencia inversa bajas 

● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100%

● Prueba de 100% ΔVDS 


3 aplicaciones 

● Aplicaciones de conmutación de encendido

● Convertidores DC-DC

● Fuente de energía UPS

VDSS RDS (ON) (typ) IDENTIFICACIÓN
80V 6.5mΩ 90A


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