brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » » MOSFET » 12V-300V n mos » 90A 80V N-CANNEL REŽIMEM MOSFET DHD80N08 TO-252B

načítání

Sdílet na:
Tlačítko sdílení Facebooku
tlačítko sdílení Twitteru
Tlačítko sdílení linky
Tlačítko sdílení WeChat
tlačítko sdílení LinkedIn
Tlačítko sdílení Pinterestu
tlačítko sdílení WhatsApp
Tlačítko sdílení Sharethis

90a 80V režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET DHD80N08 TO-252B

Tyto režim vylepšení N-kanálů Power MOSFETS používal pokročilý trenční technologický design, poskytoval vynikající RDSON a nízký náboj brány. Který v souladu se standardem ROHS.
Dostupnost:
Množství:

90a 80V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET


1 Popis 


Tyto režim vylepšení N-kanálů Power MOSFETS používal pokročilý trenční technologický design, poskytoval vynikající RDSON a nízký náboj brány. Který v souladu se standardem ROHS. 


2 funkce

● Rychlé přepínání

● proud s vysokou lavinou

● nízký odpor 

● Nízký náboj brány 

● nízký reverzní přenos kapacity 

● 100% test na lavinu s jedním pulsem

● Test 100% ΔVDS 


3 aplikace 

● Aplikace pro přepínání napájení

● DC-DC Converters

● Napájení UPS

VDSS RDS (ON) (typ) Id
80V 6,5 mΩ 90a


Předchozí: 
Další: 
  • Zaregistrujte se do našeho zpravodaje
  • Připravte se na budoucnost
    Zaregistrujte se do našeho zpravodaje a získejte aktualizace přímo do vaší doručené pošty