90A 80V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHD80N08 TO-252B

90A 80V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET

1 Опис 

Ці потужні МОП-транзистори N-канального режиму покращення використовували вдосконалену конструкцію технології trench, що забезпечувало чудовий Rdson і низький заряд затвора. Що відповідає стандарту RoHS. 

2 Особливості

● Швидке перемикання

● Високий лавинний струм

● Низький опір 

● Низький заряд затвора 

● Низькі ємності зворотного перенесення 

● 100% одноімпульсне тестування енергії лавини

● 100% тест ΔVDS 

3 Додатки 

● Програми для перемикання живлення

● DC-DC перетворювачі

● Джерело живлення ДБЖ

VDSS	RDS(увімкнено)(TYP)	ID
80В	6,5 мОм	90А