90A 80V N-channel โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET DHD80N08 TO-252B

90A 80V N-channel พลัง MOSFET โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ

1 คำอธิบาย 

มอสเฟตกำลังโหมดการเพิ่มประสิทธิภาพโหมด N-channel เหล่านี้ใช้การออกแบบเทคโนโลยีร่องลึกขั้นสูง ซึ่งให้ Rdson ที่ยอดเยี่ยมและการชาร์จเกตต่ำ ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน RoHS 

2 คุณสมบัติ

● การสลับอย่างรวดเร็ว

● กระแสหิมะถล่มสูง

● ความต้านทานต่ำ 

● ค่าเกตต่ำ 

● ความจุการถ่ายโอนแบบย้อนกลับต่ำ 

● การทดสอบพลังงานหิมะถล่มพัลส์เดี่ยว 100%

● การทดสอบ ΔVDS 100% 

3 การใช้งาน 

● แอปพลิเคชันการเปลี่ยนพลังงาน

● ตัวแปลง DC-DC

● แหล่งจ่ายไฟของยูพีเอส

วีดีเอสเอส	RDS (บน) (ประเภท)	บัตรประจำตัวประชาชน
80V	6.5mΩ	90เอ