未命名(1)(8) (1)
puerta
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
Usted está aquí: Hogar » Productos » MOSFET » 12V-300V N MOS
Modelo:
Paquete:
V:
A:
LÍNEAS DE PRODUCTOS SELECCIONADAS:

MOS 12V-300V N

Imagen Modelo Paquete V A Ficha técnica Detalles Consulta Añadir al carrito
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 47A 100V DH135N10P DFN5X6 DH135N10P DFN5X6 100V 47A Especificación del dispositivo DH135N10P.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N 310A 20V DH009N02 TO-220C DH009N02 TO-220C 20V 310A Especificación del dispositivo DH009N02.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 25A 100V 25N10 TO-220C DH025N03 TO-220C 30V 150A Especificación del dispositivo DH025N03.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 40A 30V DHD80N03 TO-252B DHD80N03 TO-252B 30V 40A DHD80N03_Datasheet_V3.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 120A 30V DH025N03P DFN5*6 DH025N03P DFN5X6 30V 120A Especificación del dispositivo DH025N03P(1)(1).pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 50A 120V DH150N12D TO-252B DH150N12D TO-252B 120V 50A Especificación del dispositivo DH150N12.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 60A 30V DH081N03D TO-252B DH081N03D TO-252B 30V 60A Especificación del dispositivo DH081N03.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N 320A 30V DH012N03 TO-220C DH012N03 TO-220C 30V 320A Especificación del dispositivo DH012N03.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N 180A 40V DHS020N04D TO-252B DHS020N04D TO-252B 40V 180A Especificación del dispositivo DHS020N04D.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 60A 68V DHF50N06 TO-220F DHF50N06 TO-220F 68V 60A Dispositivo 50N06B34 Especificación.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 105A 68V DHS055N07E TO-263 DHS055N07E A-263 68V 105A Donghai+DHS055N07&DHS055N07E+Hoja de datos+V2.0 .pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 35A 120V DSD270N12N3 TO-252B DSD270N12N3 TO-252B 120V 35A Dispositivo+DSD270N12N3+Especificación+Rev.1.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 220A 20V DH009N02P DFN5*6-8 DH009N02P DFN5*6-8 20V 220A Especificación del dispositivo DH009N02P.pdf
MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 320 A y 20 V DH009N02U
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 205A 85V DHS025N88 TO-263 DHS025N88E A-263 85V 205A Especificación del dispositivo DHS025N88.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 320A 30V DH012N03D TO-252B DH012N03D TO-252B 30V 320A Especificación del dispositivo DH012N03.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 80A 40V DH065N04D TO-252B DH065N04D TO-252B 40V 80A Especificación del dispositivo DH065N04.pdf
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSN108N20N TO-3PN DSN108N20N A-3PN 200V 110A DSN108N20N_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 175A 80V DHS035N88 TO-220C DHS035N88 TO-220C 80V 175A DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 180A 85V DSD040N08N3A TO-252B DSD040N08N3A TO-252B 85V 180A Dispositivo+DSD040N08N3A+Especificación+Rev.1.0.pdf

Vídeo del producto

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
  • Suscríbete a nuestro boletín
  • prepárese para el futuro
    suscríbase a nuestro boletín para recibir actualizaciones directamente en su bandeja de entrada
    Entregar
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Tecnología por leadong.com