未命名(1)(8) (1)
puerta
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
Usted está aquí: Hogar » Productos » MOSFET » 12V-300V N MOS
Modelo:
Paquete:
V:
A:
LÍNEAS DE PRODUCTOS SELECCIONADAS:

MOS 12V-300V N

Imagen Modelo Paquete V A Ficha técnica Detalles Consulta Añadir al carrito
MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 116A y 68 V DH070N07 A-220C 70V 100A Donghai_DH070N07(T0F)_Datasheet_V1.0.pdf
96A 100V Modo de mejora de canal N MOSFET de potencia DFN5X6 DSP051N10N DFN5*6-8 100V 96A Dispositivo DSP051N10N Especificación Rev.1.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 80A 60V DHS065N06P DFN5X6 DHS065N06P
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSG108N20NA TO-220C DSG108N20NA A-220C 200V 110A Donghai_DSG108N20NA_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 120A 90V DH90N055R TO-220C DH90N055R A-220C 90V 120A Especificación del dispositivo DH90N055R.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 112A 85V DHS043N85P DFN5X6 DHS043N85P DFN5*6 85V 112A Especificación del dispositivo DHS043N85P-Rev.1.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 108A 85V DHS042N85P DFN5*6-8 DHS042N85P DFN5*6-8 85V 108A Donghai_DHS042N85P_Datasheet_v1.0.pdf
100V/5.2mΩ/95A N-MOSFET DSP070N10L3A DFN5X6 DSP070N10L3A DFN5X6 100V 95A Donghai_DSP070N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia DTE025N04NA TO-263 del modo de mejora del canal N de 220A 40V DTE025N04NA A-263 40V 220A Dispositivo DTE025N04NA y DTG025N04NA Especificación Rev.1.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 100A 30V DHP150N03 DFN5X6 DHP150N03 DFN5X6 30V 100A Especificación del dispositivo DHP150N03(1).pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 120A 98V DH90N045R TO-220C DH90N045R A-220C 98V 120A Especificación del dispositivo DH90N045RSM2.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 100A 30V 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K
MOSFET de potencia DSG048N08N3 TO-220C del modo de mejora del canal N de 120A 85V DSG048N08N3 A-220C 85V 125A Dispositivo+DSG048N08N3+Especificación+Rev.1.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N 150A 150V DSG059N15NA TO-220C DSG059N15NA A-220C 150V 150A Especificación del dispositivo DSG059N15NA.pdf
MOSFET de potencia D18N20 TO-252B del modo de mejora del canal N de 18A 200V D18N20 TO-252B 200V 18A Dispositivo D18N20 Especificación Rev.1.0.pdf
100V/15mΩ/50A N-MOSFET DSD190N10L3 TO-252B DSD190N10L3 TO-252B 100V 50A Donghai_DSD190N10L3&DSB190N10L3_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET D630 TO-252B de potencia del modo de mejora del canal N de 9A 200V D630 TO-252B 200V 9A Especificación del dispositivo 630.pdf
Modo de mejora de canal N MOSFET de potencia 150A 150V DHS042N15 DHS042N15 A-220C 150V 150A Donghai_DHS042N15&DHS042N15E_Datasheet_V2.0 (1).pdf
MOSFET de potencia D110N04 TO-252B del modo de mejora del canal N de 160A 40V D110N04 TO-252B 40V 160A Especificación del dispositivo 110N04.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 65A 30V DH033N03R DFN3X3 DH033N03R DFN3X3 30V 65A Especificación del dispositivo DH033N03R.pdf

Vídeo del producto

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
  • Suscríbete a nuestro boletín
  • prepárese para el futuro
    suscríbase a nuestro boletín para recibir actualizaciones directamente en su bandeja de entrada
    Entregar
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Tecnología por leadong.com