MOSFET N de 70 V/6,3 mΩ/100 A
1 Descripción
Estos mosfets de potencia de modo de mejora de canal N utilizaron un diseño de tecnología de zanja avanzada, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS.
2 características
● Baja resistencia
● Bajas capacitancias de transferencia inversa.
● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%
● Prueba 100% ΔVDS
● Recubrimiento sin Pb / Sin halógenos / Cumple con RoHS
3 aplicaciones
● Aplicaciones de conmutación de energía
● Convertidores CC-CC
● Control total del puente
| VDSS |
RDS (activado) (TIPO) |
IDENTIFICACIÓN |
| 70V |
6,3 mΩ |
100A |