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江蘇東海半導体有限公司
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70V/6.3mΩ/100A N-MOSFET


1 説明 

この N チャネル エンハンスメント モード パワー MOSFET は高度なトレンチ技術設計を使用しており、優れた Rdson と低いゲート電荷を提供します。 RoHS規格に準拠しています。 


2 特徴 

●低オン抵抗 

● 低い逆伝達容量

● 100%シングルパルスアバランシェエネルギー試験

● 100% ΔVDS テスト

●鉛フリーメッキ・ハロゲンフリー・RoHS対応


3 アプリケーション 

●電源スイッチング用途 

●DC-DCコンバータ 

●フルブリッジ制御

VDSS RDS(オン)(TYP) ID
70V 6.3mΩ 100A


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