70V/6.3mΩ/100A N-MOSFET
1 Açıklama
Bu N-kanal geliştirme modu güç mosfetleri, gelişmiş kanal teknolojisi tasarımını kullanmış, mükemmel Rdson ve düşük geçit şarjı sağlamıştır. RoHS standardına uygundur.
2 Özellikler
● Düşük direnç
● Düşük ters transfer kapasitansları
● %100 tek darbeli çığ enerjisi testi
● %100 ΔVDS testi
● Kurşunsuz kaplama / Halojensiz / RoHS uyumlu
3 Uygulama
● Güç anahtarlama uygulamaları
● DC-DC dönüştürücüler
● Tam köprü kontrolü
| VDSS |
RDS(açık)(TİP) |
İD |
| 70V |
6,3mΩ |
100A |