MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 100A 30V DHP150N03 DFN5X6

MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 100 A y 30 V

1 Descripción

DHP150N03 Es un vdmosfet mejorado de canal N que utilizó un diseño de tecnología de zanja avanzada, que proporcionó un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características 

● Cambio rápido 

● Baja resistencia (Rdson≤5.5mΩ) 

● Carga de puerta baja (tipo: 53,5 nC) 

● Bajas capacitancias de transferencia inversa (tipo: 316 pF) 

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100% 

● Prueba 100% ΔVDS

3 aplicaciones

● Circuito de gestión de alimentación de batería. 

● Cargador 

● Adaptador

● SMPS

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
30V	3,6 mΩ	100A