MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 65A 30V DH033N03R DFN3X3

MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 65 A y 30 V

1 Descripción

Estos vdmosfets de potencia de modo mejorado de canal N utilizaron un diseño de tecnología de zanja avanzada, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 CARACTERÍSTICA 

●Baja pérdida de conmutación

● Baja resistencia

● Cargo de puerta bajo

● Baja capacitancia de transferencia inversa 

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100% 

● Prueba 100% ΔVDS

3 aplicaciones 

● Aplicaciones de conmutación de energía 

● Sistema de gestión de inversores. 

● herramientas eléctricas 

● Convertidores CC-CC

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
30V	3,4 mΩ	65A