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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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65a 30V N-canal Modo de mejora MOSFET DH033N03R DFN3X3

65A 30V N-Canal Modo de mejora de potencia MOSFET :
Disponibilidad
Cantidad:

65A 30V MODANCE DE MEDIA DE MEDIANTE DE CANAL


1 descripción

Estos modos de potencia de modo mejorado de canal N utilizaron un diseño de tecnología de trinchera avanzada, proporcionó una excelente carga de RDSON y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS. 


2 características 

● Pérdida de baja conmutación

● Bajo en resistencia

● carga de puerta baja

● Capacitancia de transferencia inversa baja 

● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100% 

● Prueba de 100% ΔVDS


3 aplicaciones 

● Aplicaciones de conmutación de encendido 

● Sistema de gestión de inversores 

● Herramientas eléctricas 

● Convertidores DC-DC

VDSS RDS (ON) (typ) IDENTIFICACIÓN
30V 3.4mΩ 65a


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