դարպաս
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd

բեռնում

Կիսվել՝
Ֆեյսբուքի փոխանակման կոճակ
Twitter-ի համօգտագործման կոճակը
տողերի փոխանակման կոճակ
wechat-ի փոխանակման կոճակը
linkedin-ի համօգտագործման կոճակը
pinterest-ի համօգտագործման կոճակը
whatsapp-ի համօգտագործման կոճակը
կիսել այս համօգտագործման կոճակը

65A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH033N03R DFN3X3

65A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
Առկայություն՝
Քանակ:

65A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET


1 Նկարագրություն

Այս N-channel ուժեղացված ռեժիմի հզորության vdmosfets-ը օգտագործում էր առաջադեմ խրամուղիների տեխնոլոգիայի դիզայն, ապահովում էր գերազանց Rdson և ցածր դարպասի լիցքավորում: Որը համապատասխանում է RoHS ստանդարտին: 


2 ԱՌԱՆՁՆԱՀԱՏԿՈՒԹՅՈՒՆ 

●Փոխանցման ցածր կորուստ

● Ցածր դիմադրություն

● Դարպասի ցածր լիցքավորում

● Հակադարձ փոխանցման ցածր հզորություն 

● 100% մեկ իմպուլսային ավալանշ էներգիայի փորձարկում 

● 100% ΔVDS թեստ


3 Դիմումներ 

● Էլեկտրաէներգիայի անջատման հավելվածներ 

● Inverter կառավարման համակարգ 

● Էլեկտրական գործիքներ 

● DC-DC կերպափոխիչներ

VDSS RDS(միացված)(TYP) ID
30 Վ 3,4 mΩ 65 Ա


Նախորդը: 
Հաջորդը: 
  • Գրանցվեք մեր տեղեկագրին
  • պատրաստվեք ապագայի համար,
    գրանցվեք մեր տեղեկագրում՝ թարմացումներ անմիջապես ձեր մուտքի արկղում ստանալու համար