未命名 (1) (8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » Mosfet » 12V-300V N MOS » 65A 30V N-kanał NEFANLEM MOC MOSFET DH033N03R DFN3X3

załadunek

Udostępnij do:
Przycisk udostępniania na Facebooku
Przycisk udostępniania na Twitterze
Przycisk udostępniania linii
Przycisk udostępniania WeChat
Przycisk udostępniania LinkedIn
Przycisk udostępniania Pinterest
przycisk udostępniania WhatsApp
przycisk udostępniania shaRethis

65A 30 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET DH033N03R DFN3X3

65A 30 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET
Dostępność MOSFET:
Ilość:
Pytać się Dodaj do kosza

65A 30 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET


1 Opis

Te MOC MOCE MOCE MOCE MOCE MOCED SILED MOCED STATERUJĄ DOSTĘP DOSTĘPNEJ PROJEKTOWANIA ROCKI, zapewniał doskonały ładunek RDSON i niską bramę. Co jest zgodne ze standardem Rohs. 


2 funkcja 

● Niska utrata przełączania

● Niskie opór

● Niski ładunek bramki

● Niska pojemność transferu odwrotnego 

● 100% testu energii lawinowej pojedynczej pulsu 

● Test 100% ΔVDS


3 aplikacje 

● Aplikacje przełączające zasilanie 

● System zarządzania falownikiem 

● Elektrownie 

● Przetopienia DC-DC

VDSS RDS (ON) (Typ) ID
30 V. 3,4 mΩ 65a


Poprzedni: 
Następny: 
65A 30 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zarejestruj się w naszym biuletynie
  • Przygotuj się na przyszłą
    rejestrację na nasz biuletyn, aby uzyskać aktualizacje bezpośrednio do skrzynki odbiorczej
    Składać
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com