MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 65 A 30 V
1 Descrizione
Questi vdmosfet di potenza in modalità avanzata a canale N utilizzavano un design avanzato della tecnologia trench, fornivano un eccellente Rdson e una bassa carica di gate. Che è conforme allo standard RoHS.
2 CARATTERISTICA
●Bassa perdita di commutazione
● Bassa resistenza
● Carica di gate bassa
● Bassa capacità di trasferimento inverso
● Test energetico da valanga a impulso singolo al 100%.
● Test ΔVDS al 100%.
3 applicazioni
● Applicazioni di commutazione di potenza
● Sistema di gestione dell'inverter
● Utensili elettrici
● Convertitori CC-CC
| VDSS |
RDS(acceso)(TIPO) |
ID |
| 30 V |
3,4 mΩ |
65A |