Διαθεσιμότητα: | |
---|---|
Ποσότητα: | |
DH033N03R
WXDH
DFN3X3
30V
65α
65A 30V N-Channel MODENCE MOSFET
1 περιγραφή
Αυτά τα N-Channel Enhanced Mode Power VDMOSFETs χρησιμοποίησαν σχεδιασμό τεχνολογίας Advanced Trench, παρείχαν εξαιρετική φόρτιση RDSON και χαμηλής πύλης. Η οποία συμφωνεί με το πρότυπο ROHS.
2 χαρακτηριστικό
● Χαμηλή απώλεια μεταγωγής
● Χαμηλή αντίσταση
● Χαμηλή φόρτιση πύλης
● Χαμηλή χωρητικότητα αντίστροφης μεταφοράς
● Δοκιμή ενεργειακής δοκιμής 100% μονής παλμού Avalanche
● δοκιμή 100% ΔVDS
3 αιτήσεις
● Εφαρμογές μεταγωγής τροφοδοσίας
● Σύστημα διαχείρισης μετατροπέα
● Λειτουργικά εργαλεία
● Μετατροπείς DC-DC
VDSS | RDS (ON) (τύπος) | ταυτότητα |
30V | 3.4mΩ | 65α |
65A 30V N-Channel MODENCE MOSFET
1 περιγραφή
Αυτά τα N-Channel Enhanced Mode Power VDMOSFETs χρησιμοποίησαν σχεδιασμό τεχνολογίας Advanced Trench, παρείχαν εξαιρετική φόρτιση RDSON και χαμηλής πύλης. Η οποία συμφωνεί με το πρότυπο ROHS.
2 χαρακτηριστικό
● Χαμηλή απώλεια μεταγωγής
● Χαμηλή αντίσταση
● Χαμηλή φόρτιση πύλης
● Χαμηλή χωρητικότητα αντίστροφης μεταφοράς
● Δοκιμή ενεργειακής δοκιμής 100% μονής παλμού Avalanche
● δοκιμή 100% ΔVDS
3 αιτήσεις
● Εφαρμογές μεταγωγής τροφοδοσίας
● Σύστημα διαχείρισης μετατροπέα
● Λειτουργικά εργαλεία
● Μετατροπείς DC-DC
VDSS | RDS (ON) (τύπος) | ταυτότητα |
30V | 3.4mΩ | 65α |