65A 30V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET
1 Açıklama
Bu N-kanallı gelişmiş mod güçlü vdmosfet'ler, gelişmiş hendek teknolojisi tasarımını kullanmış, mükemmel Rdson ve düşük geçit şarjı sağlamıştır. RoHS standardına uygundur.
2 ÖZELLİK
●Düşük Anahtarlama kaybı
● Düşük direnç
● Düşük kapı ücreti
● Düşük ters transfer kapasitansı
● %100 tek darbeli çığ enerjisi testi
● %100 ΔVDS testi
3 Uygulama
● Güç anahtarlama uygulamaları
● İnvertör yönetim sistemi
● Elektrikli aletler
● DC-DC dönüştürücüler
| VDSS |
RDS(açık)(TİP) |
İD |
| 30V |
3,4mΩ |
65A |