65A 30V N-Kanalverbesserungsmodus MOSFET DH033N03R DFN3X3

65A 30V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET

1 Beschreibung

Diese N-Channel Enhanced Modus Power VDMOSFETs verwendeten fortschrittliches Gräbertechnologie-Design und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 

2 Feature 

● Niedriger Schaltverlust

● Niedrig des Widerstands

● Ladung mit niedriger Gate

● Niedrige Umkehrtransferkapazität 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test

3 Anwendungen 

● Stromschaltanwendungen 

● Inverter -Management -System 

● Elektrowerkzeuge 

● DC-DC-Konverter