portão
Semicondutor Co. de Jiangsu Donghai, Ltd
Você está aqui: Lar » Produtos » MOSFET » 12V-300V N MOS
Modelo:
Pacote:
V:
UM:
LINHAS DE PRODUTOS SELECIONADAS:

12V-300VNMOS

de imagem de modelo Pacote V A Ficha técnica Detalhes Consulta Adicionar ao carrinho
310A 20V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH009N02 TO-220C DH009N02 PARA-220C 20V 310A Especificação do dispositivo DH009N02.pdf
47A 100V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH135N10P DFN5X6 DH135N10P DFN5X6 100 V 47A Especificação do dispositivo DH135N10P.pdf
25A 100V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET 25N10 TO-220C DH025N03 PARA-220C 30V 150A Especificação do dispositivo DH025N03.pdf
40A 30V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHD80N03 TO-252B DHD80N03 PARA-252B 30V 40A DHD80N03_Datasheet_V3.0.pdf
120A 30V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH025N03P DFN5 * 6 DH025N03P DFN5X6 30V 120A Especificação do dispositivo DH025N03P(1)(1).pdf
60A 30V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH081N03D TO-252B DH081N03D PARA-252B 30V 60A Especificação do dispositivo DH081N03.pdf
50A 120V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH150N12D TO-252B DH150N12D PARA-252B 120V 50A Especificação do dispositivo DH150N12.pdf
320A 30V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH012N03 TO-220C DH012N03 PARA-220C 30V 320A Especificação do dispositivo DH012N03.pdf
 Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 180A 40V DHS020N04D TO-252B DHS020N04D PARA-252B 40V 180A Especificação do dispositivo DHS020N04D.pdf
60A 68V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHF50N06 TO-220F DHF50N06 TO-220F 68 V 60A Especificação do dispositivo 50N06B34.pdf
105A 68V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS055N07E TO-263 DHS055N07E PARA-263 68 V 105A Donghai+DHS055N07&DHS055N07E+Folha de dados+V2.0 .pdf
35A 120V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DSD270N12N3 TO-252B DSD270N12N3 PARA-252B 120V 35A Dispositivo+DSD270N12N3+Especificação+Rev.1.0.pdf
220A 20V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH009N02P DFN5 * 6-8 DH009N02P DFN5*6-8 20V 220A Especificação do dispositivo DH009N02P.pdf
205A 85V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS025N88 TO-263 DHS025N88E PARA-263 85 V 205A Especificação do dispositivo DHS025N88.pdf
320A 30V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH012N03D TO-252B DH012N03D PARA-252B 30V 320A Especificação do dispositivo DH012N03.pdf
320A 20V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET de potência DH009N02U
80A 40V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH065N04D TO-252B DH065N04D PARA-252B 40V 80A Especificação do dispositivo DH065N04.pdf
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSN108N20N TO-3PN DSN108N20N TO-3PN 200 V 110A DSN108N20N_Datasheet_V1.0.pdf
180A 85V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DSD040N08N3A TO-252B DSD040N08N3A PARA-252B 85 V 180A Dispositivo+DSD040N08N3A+Especificação+Rev.1.0.pdf
175A 80V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS035N88 TO-220C DHS035N88 PARA-220C 80V 175A DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf

Vídeo do produto

  • Inscreva-se em nosso boletim informativo
  • prepare-se para o futuro
    inscreva-se em nosso boletim informativo para receber atualizações diretamente em sua caixa de entrada