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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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180A 135V Modo de aprimoramento de canal n

Esses MOSFETs de energia de aprimoramento de canal N usavam o design avançado da tecnologia de valas de portão de divisão, forneceram excelente rdson e baixa carga do portão. Que de acordo com o padrão ROHS.
Disponibilidade:
Quantidade:

180A 135V Modo de aprimoramento do canal N MOSFET


1 Descrição 

Esse modo de aprimoramento de aprimoramento de canais N MOSFET utiliza a tecnologia avançada de valas de portão dividida, que fornece excelente carga rdson e baixa portão ao mesmo tempo. Que de acordo com o padrão ROHS. 


2 recursos

● baixa resistência 

● Baixa carga do portão 

● Comutação rápida

● Capacitâncias de transferência reversa baixa 

● Teste de energia de avalanche de pulso 100% único

● Teste 100% ΔVDS 


3 aplicações 

● Controle e acionamento do motor 

● Gerenciamento da bateria 

● UPS (fontes de alimentação ininterrupáveis)


VDSS Rds (on) (Typ) EU IA
135V 3,7mΩ 180A


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