MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 180A 135V DSE043N14N TO-263

MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 180 A y 135 V

1 Descripción 

Este MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N utiliza la avanzada tecnología Split Gate Trench, que proporciona un Rdson excelente y una carga de puerta baja al mismo tiempo. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características

● Baja resistencia 

● Cargo de puerta bajo 

● Cambio rápido

● Bajas capacitancias de transferencia inversa. 

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%

● Prueba 100% ΔVDS 

3 aplicaciones 

● Control y accionamiento del motor. 

● Gestión de la batería 

● UPS (Suministros de energía ininterrumpida)

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
135V	3,7 mΩ	180A