180A 135V N-арнасын жақсарту режимі Қуат MOSFET DSE043N14N TO-263

180A 135V N-арнаны жақсарту режимі Қуат MOSFET

1 Сипаттама 

Бұл N-арнаны жақсарту режимінің қуаты MOSFET бір уақытта тамаша Rdson және төмен Gate зарядын қамтамасыз ететін кеңейтілген Split Gate Trench технологиясын пайдаланады. Бұл RoHS стандартына сәйкес келеді. 

2 Мүмкіндіктер

● Төмен қарсылық 

● Төмен қақпа заряды 

● Жылдам ауысу

● Төмен кері тасымалдау сыйымдылығы 

● 100% бір импульстік көшкін энергиясының сынағы

● 100% ΔVDS сынағы 

3 Қолданбалар 

● Моторды басқару және жетек 

● Батареяны басқару 

● UPS (үзіліссіз қуат көздері)

VDSS	RDS(қосу)(TYP)	ID
135 В	3,7 мОм	180А