未命名 (1) (8) (1)
hek
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
U bent hier: Thuis » Producten » » Mosfet » 12V-300V n mos » 180A 135V N-kanaalverbeteringsmodus Power Mosfet DSE043N14N TO-263

laden

Delen op:
Facebook Sharing -knop
Twitter -knop delen
Lijnuitdeling knop
Wechat delen knop
LinkedIn Sharing -knop
Pinterest delen knop
whatsapp delen knop
Sharethis delen knop

180A 135V N-kanaalverbeteringsmodus Power Mosfet DSE043N14N TO-263

Deze N-kanaalverbeteringsmodus Power MOSFET's gebruikten geavanceerde splite gate trench-technologieontwerp, bood uitstekende RDSON en lage poortlading. Die overeenkomt met de ROHS -standaard.
Beschikbaarheid:
hoeveelheid:
Vragen Toevoegen aan de mand

180a 135V N-kanaalverbeteringsmodus Power mosfet


1 beschrijving 

Deze N-kanaalverbeteringsmodus Power MOSFET gebruikt geavanceerde split gate trench-technologie, die tegelijkertijd uitstekende RDSON en lage poortkosten biedt. Die overeenkomt met de ROHS -standaard. 


2 functies

● Laag op weerstand 

● Lage poortlaad 

● Snel schakelen

● Lage omgekeerde overdrachtscapaciteiten 

● 100% enkele puls Avalanche Energy Test

● 100% AVDS -test 


3 toepassingen 

● Motorbesturing en -station 

● Batterijbeheer 

● UPS (ononderbroken voedingen)


VDSS RDS (ON) (typ) Id
135V 3.7mΩ 180a


Vorig: 
Volgende: 
Mosfet
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Meld u aan voor onze nieuwsbrief
  • Maak je klaar voor de toekomstige
    aanmelding voor onze nieuwsbrief om updates rechtstreeks naar je inbox te krijgen
    Indienen
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology door leadong.com