180A 135V Λειτουργία βελτίωσης καναλιών N Power MOSFET DSE043N14N TO-263

180A 135V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 Περιγραφή 

Αυτό το τροφοδοτικό MOSFET λειτουργίας βελτίωσης N καναλιών χρησιμοποιεί προηγμένη τεχνολογία Split Gate Trench, η οποία παρέχει εξαιρετική φόρτιση Rdson και χαμηλή φόρτιση Gate ταυτόχρονα. Το οποίο συμφωνεί με το πρότυπο RoHS. 

2 Χαρακτηριστικά

● Χαμηλή αντίσταση 

● Χαμηλή χρέωση πύλης 

● Γρήγορη εναλλαγή

● Χαμηλές χωρητικότητες ανάστροφης μεταφοράς 

● Δοκιμή ενέργειας χιονοστιβάδας 100% ενός παλμού

● Δοκιμή ΔVDS 100%. 

3 Εφαρμογές 

● Έλεγχος κινητήρα και κίνηση 

● Διαχείριση μπαταρίας 

● UPS (Αδιάλειπτα Τροφοδοτικά)

VDSS	RDS(ενεργό)(TYP)	ταυτότητα
135 V	3,7 mΩ	180Α