180A 135V Njia ya Uboreshaji wa N-channel MOSFET DSE043N14N TO-263

180A 135V N-Chaneli ya Uboreshaji wa Njia ya Nguvu ya MOSFET

1 Maelezo 

Nguvu hii ya modi ya uboreshaji ya kituo cha N MOSFET hutumia teknolojia ya hali ya juu ya Split Gate Trench, ambayo hutoa Rdson bora na malipo ya chini ya Gate kwa wakati mmoja. Ambayo inalingana na kiwango cha RoHS. 

2 Sifa

● Upinzani mdogo 

● Malipo ya lango ya chini 

● Kubadilisha haraka

● Uwezo wa chini wa uhamishaji wa kinyume 

● Jaribio la 100% la nishati ya mpigo mmoja

● Jaribio la ΔVDS la 100%. 

3 Maombi 

● Kudhibiti na kuendesha gari 

● Kudhibiti betri 

● UPS (Uninterruptible Power Supplies)

VDSS	RDS(imewashwa)(TYP)	ID
135V	3.7mΩ	180A