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180a 135V N-Kanalverbesserungsmodus MOSFET DSE043N14N TO-263

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Splite-Gate-Graben-Technologie-Design und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard.
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180a 135V N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET


1 Beschreibung 

Dieser N-Kanal-Verbesserungsmodus-Power MOSFET verwendet die fortschrittliche Split-Gate-Grabentechnologie, die gleichzeitig eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung bietet. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale

● Niedrig des Widerstands 

● Ladung mit niedriger Gate 

● schnelles Umschalten

● Niedrige Umkehrtransferkapazität 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest

● 100% ΔVDS -Test 


3 Anwendungen 

● Motorsteuerung und Antrieb 

● Batteriemanagement 

● UPS (uninterpulierbare Stromversorgungen)


VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS
135V 3,7 mΩ 180a


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