180A 135V N-csatornás továbbfejlesztett mód Táp MOSFET
1 Leírás
Ez az N-csatornás teljesítménynövelő üzemmódú MOSFET fejlett Split Gate Trench technológiát használ, amely kiváló Rdson-t és alacsony kaputöltést biztosít egyszerre. Ami megfelel a RoHS szabványnak.
2 Jellemzők
● Alacsony ellenállás
● Alacsony kaputöltés
● Gyors váltás
● Alacsony fordított átviteli kapacitás
● 100%-os egyimpulzusos lavina energiateszt
● 100% ΔVDS teszt
3 Alkalmazások
● Motorvezérlés és hajtás
● Akkumulátorkezelés
● UPS (szünetmentes tápegység)
| VDSS |
RDS(be)(TYP) |
ID |
| 135V |
3,7 mΩ |
180A |