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80V/3,4MΩ/100A N-MOSFET DSP037N08N3 DFN5X6

Esses MOSFETs de energia de aprimoramento de canal N usavam o design avançado da tecnologia de valas de portão de divisão, forneceram excelente rdson e baixa carga do portão. Que de acordo com o padrão ROHS.
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80V/3,4MΩ/100A N-MOSFET


1 Descrição 

Esses MOSFETs de energia de aprimoramento de canal N usavam o design avançado da tecnologia de valas de portão de divisão, forneceram excelente rdson e baixa carga do portão. Que de acordo com o padrão ROHS. 


2 recursos

● baixa resistência 

● Capacitâncias de transferência reversa baixa 

● Teste de energia de avalanche de pulso 100% único 

● Teste 100% ΔVDS 

  • Compatível com revestimento sem Pb/sem halogênio/ROHS


3 aplicações

● Aplicativo de comutação de energia

● Conversores DC-DC

● Controle completo da ponte



VDSS Rds (on) (Typ) EU IA
80V 3.4mΩ 100a


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