80V/3.4mΩ/100A N-MOSFET
1 توضیحات
این ماسفتهای قدرتی حالت ارتقای کانال N از طراحی پیشرفته فناوری ترانشه گیت اسپلیت استفاده میکردند که Rdson عالی و شارژ کم گیت را ارائه میداد. که مطابق با استاندارد RoHS است.
2 ویژگی
● مقاومت کم
● ظرفیت های انتقال معکوس کم
● تست 100% انرژی بهمن تک پالس
● تست 100% ΔVDS
3 برنامه های کاربردی
● برنامه سوئیچینگ برق
● مبدل های DC-DC
● کنترل کامل پل
| VDSS |
RDS(روشن)(TYP) |
شناسه |
| 80 ولت |
3.4mΩ |
100A |